D램 공정 로드맵 (2022~2028년)

삼성전자 · SK하이닉스 · 마이크론은 모두 2025년에 10nm급 6세대(1c) D램 양산을 시작했습니다. 다음 7세대(1d)는 세 회사 모두 2027년 양산이 목표입니다. D램 공정은 10nm급 안에서 1a → 1b → 1c → 1d 순서로 세대가 바뀌며, 뒤로 갈수록 회로가 가늘어집니다.

1c(6세대) 양산

2025년

삼성전자 · SK하이닉스 · 마이크론

1d(7세대) 양산 목표

2027년

세 회사 모두

첫 10nm 미만 (삼성전자)

2028년

4F² 구조

마이크론 생산 중 1c 비중

50% 이상

2026년 6~8월

20222023202420252026지금20272028

삼성전자1b1c1d10a

SK하이닉스1b1c1d

마이크론1b1c1d

CXMTG54F²

삼성전자SK하이닉스마이크론CXMT

20221b

20231b1b

2024

20251c1c1c

2026지금G54F²

20271d1d1d

202810a

양산 중양산 예정

1c, 세 회사 모두 2025년 양산

1c는 지금 가장 앞선 D램 공정입니다. 세 회사 모두 2025년에 양산을 시작했지만, HBM에 언제부터 쓰는지는 회사마다 다릅니다.

• 삼성전자: 2025년 7월 양산 전환 승인, 2026년 2월 양산 출하를 시작한 HBM4의 D램 층도 1c
• SK하이닉스: 2025년부터 양산, 2026년 말까지 국내 일반 D램 생산능력의 절반 이상을 1c로 바꿀 계획, HBM4는 1b로 만듦
• 마이크론: 1c(마이크론 이름 1γ)가 2026년 6~8월 D램 생산량의 절반을 넘음, 회사의 첫 EUV 공정

1d는 2027년

마이크론은 9월 실적 발표에서 1d를 2027년 하반기부터 늘리겠다고 밝혔습니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 공식 일정을 내놓지 않았지만, 두 회사 모두 2027년 양산을 목표로 하는 것으로 알려졌습니다.

삼성전자 1d 양산 목표는 2026년에서 2027년 말로 밀린 것으로 알려졌습니다. SK하이닉스는 1d 개발 완료 목표를 2026년 8월에서 12월로 늦췄고, 2027년 6월 양산 라인으로 넘기는 것이 목표로 알려졌습니다.

10nm 아래로, 4F²와 3D D램

10nm 아래로 내려가면 셀 구조가 바뀝니다. 지금 D램 셀은 6F² 구조인데, 트랜지스터를 세로로 세우는 4F² 구조로 바꾸면 셀 하나가 차지하는 면적이 약 3분의 2로 줄어듭니다. 그다음은 셀을 층층이 쌓는 3D D램입니다.

• 삼성전자: 첫 10nm 미만 공정(10a)에 4F² 구조, 2028년 양산 목표로 알려짐
• SK하이닉스: 3분기 실적 발표에서 "6F²를 최대한 쓴 뒤 4F² · 3D로 간다, 개발 시점과 상용화 시점은 다르다"
• 마이크론: "4F²는 지금 로드맵에 없다", 3D D램을 따로 개발 중
• CXMT: 2026년 말까지 4F² 구조 DDR5 출시 예고

CXMT 계획대로라면 4F² 제품이 삼성전자보다 2년쯤 먼저 나옵니다. 다만 실제로 많이 만들 수 있는지는 아직 확인되지 않았습니다.

EUV와 High-NA

세대가 바뀔 때마다 EUV 노광 장비로 그리는 층(레이어)이 늘고 있습니다. SK하이닉스는 1a에 1개, 1b에 4개, 1c에 5개 이상을 썼습니다. 마이크론은 1c에서 처음 EUV를 썼습니다.

High-NA EUV는 더 가는 회로를 그리는 차세대 노광 장비입니다. SK하이닉스가 2025년 9월 메모리 회사 가운데 처음 양산용 장비를 들여왔고, 삼성전자는 2028년 D램 양산에 쓰겠다고 밝혔습니다.

중국 CXMT는 EUV 장비를 들여올 수 없습니다. 2026년 9월 양산한 G5는 기존 장비로 회로를 4번 나눠 그려 만들었습니다.

CXMT와의 격차

중국 CXMT는 세 회사보다 5년쯤 늦습니다. 삼성전자가 2021년 10월 양산한 1a급 공정을 CXMT는 2026년 9월(G5)에야 양산하기 시작했습니다.

세 회사가 1c를 양산하는 동안 CXMT의 주력은 아직 1z(1a 바로 앞 세대)입니다. HBM은 CXMT가 HBM3를 개발하는 단계라, HBM4를 양산하는 삼성전자 · SK하이닉스와 2세대 넘게 차이 납니다.

4F² 제품을 먼저 내놓더라도 격차가 바로 줄지는 않는다는 평가가 많습니다. 의미 있는 양산은 2028년 상반기쯤으로 보고, 15nm로 만든 4F² 셀은 12nm대 6F² 셀과 면적이 비슷하다는 분석도 있습니다. EUV 없이 회로를 여러 번 나눠 그리느라 비트당 원가도 20~30% 더 드는 것으로 분석됩니다.

HBM에 쓰는 공정

HBM은 D램 층(코어 다이)을 여러 장 쌓고 맨 아래에 신호를 주고받는 바닥 층(베이스 다이)을 붙입니다. HBM4부터 베이스 다이를 파운드리 공정으로 만드는 회사가 늘었습니다.

• 삼성전자: HBM4 · HBM4E 모두 1c D램 + 자사 파운드리 4nm 베이스 다이, HBM4E는 2027년 상반기 양산
• SK하이닉스: HBM4는 1b D램, 베이스 다이는 TSMC가 만드는 것으로 알려짐, HBM4E는 2026년 2분기 샘플 공급
• 마이크론: HBM4는 1b D램 + 자체 베이스 다이, HBM4E는 1c D램 + 파운드리 베이스 다이로 2027년 양산

회사별 HBM 점유율은 세계 HBM 점유율 (2026년 2분기)에서, HBM 세대별 일정은 HBM 세대별 로드맵 (2022~2030년)에서, D램 점유율은 세계 D램 점유율과 매출 (2026년 2분기)에서 볼 수 있습니다. D램 공장 위치는 세계 D램 공장 위치와 증설 일정에, 파운드리 공정은 파운드리 공정 로드맵 (2023~2030년)에 있습니다.