반도체 · 10월 29일
낸드 공정 로드맵 (2022~2027년)
삼성전자 · SK하이닉스 · 마이크론 · 키옥시아 · YMTC의 낸드 세대별 단수와 양산 시점, 400단 이상 경쟁을 정리했습니다.
- 삼성전자
- SK하이닉스
- 마이크론
- 키옥시아
- 샌디스크
- YMTC
낸드 경쟁이 400단 이상으로 넘어가고 있습니다. 삼성전자는 2026년 3분기 400단 이상 V10의 양산 준비를 마쳤고, 마이크론은 한 세대를 건너뛰고 2027년 하반기 400단 이상 G11 생산을 늘립니다. 낸드는 저장 셀을 위로 쌓아 용량을 늘리기 때문에, 쌓은 층 수(단수)가 세대를 가르는 기준입니다.
- 삼성전자 V10
- 400단 이상
- 2026년 3분기 양산 준비
- 마이크론 G11
- 400단 이상
- 2027년 하반기 생산 확대
- SK하이닉스 주력
- 321단
- 4분기 국내 생산능력 절반 이상
- 키옥시아 BiCS10
- 332단
- 2026년 7월 생산 시작
삼성전자236단286단400단+
SK하이닉스238단321단375단
마이크론232단276단400단+
키옥시아218단332단
YMTC232단270단급300단+삼성전자SK하이닉스마이크론키옥시아YMTC삼성전자와 SK하이닉스
삼성전자의 주력은 2024년 양산한 V9(286단)입니다. 다음 세대 V10(400단 이상)은 3분기 실적 발표에서 양산 준비를 마쳤다고 밝혔습니다. 2025년 하반기 양산 목표로 알려졌던 것보다 1년쯤 늦었습니다.
SK하이닉스는 2024년 말 양산한 321단이 주력입니다. 4분기에는 국내 낸드 생산능력의 절반 이상을 321단으로 바꿉니다. 다음 세대는 400단급에서 375단으로 낮춰 2026년 말 양산한다는 보도가 있지만, 회사는 "개발 중"이라고만 밝혔습니다.
한 세대를 건너뛴 마이크론
마이크론의 주력은 2024년 양산한 G9(276단)입니다. 2026년 10월 다음 세대 G10을 건너뛰고 400단 이상 G11로 바로 넘어간다고 밝혔습니다. G11은 G9보다 저장 밀도가 약 2배이고, 2027년 하반기부터 생산을 늘립니다.
키옥시아 · 샌디스크와 YMTC
일본 키옥시아와 미국 샌디스크는 낸드(BiCS)를 함께 개발하고 같은 공장에서 만듭니다. 지금은 BiCS8(218단)이 생산의 절반을 넘습니다. BiCS10(332단)은 2026년 7월 생산을 시작했고, 본격 양산은 2027년으로 알려졌습니다.
BiCS10은 다른 회사보다 단수가 적습니다. 층을 더 쌓는 대신 층 안에 셀을 더 촘촘히 넣어, 저장 밀도를 BiCS8보다 59% 높였습니다.
중국 YMTC는 약 270단급을 양산 중이고, 300단 이상은 2026년 하반기 양산 계획으로 알려졌습니다. 회사가 단수와 일정을 거의 공개하지 않아 대부분 보도로 알려진 내용입니다.
웨이퍼 두 장을 붙이는 방식
낸드는 데이터를 저장하는 셀과 셀을 움직이는 회로로 이뤄집니다. 셀을 높이 쌓을수록 한 웨이퍼에 둘을 같이 만들기 어려워, 셀과 회로를 다른 웨이퍼에서 만든 뒤 붙이는 방식(웨이퍼 본딩)으로 넘어가고 있습니다.
- YMTC: 2018년부터 (Xtacking)
- 키옥시아 · 샌디스크: BiCS8(218단, 2024년)부터
- 삼성전자: V10(400단 이상)부터
- 마이크론: G11(400단 이상, 2027년)부터
- SK하이닉스: "400단급부터" 쓰겠다고 밝힘
1000단은 2030년 이후
삼성전자는 2030년 1000단 낸드를 목표로 하는 것으로 알려졌습니다. 키옥시아는 2031년까지 1000단 양산을 목표로 한다고 밝힌 적이 있습니다. SK하이닉스는 400단 이상 낸드를 2029~2031년 로드맵에 올려 두었습니다.
셀 하나에 5비트를 저장하는 PLC는 아직 상용 제품이 없습니다. 지금 양산 제품은 셀 하나에 4비트(QLC)까지입니다.
낸드 공장 위치는 세계 낸드 공장 위치와 증설 일정에서, 회사별 점유율은 세계 낸드 점유율과 매출 (2026년 2분기)에서 볼 수 있습니다. D램 공정은 D램 공정 로드맵 (2022~2028년)에 있습니다.